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电子元器件:3D NAND存储器研发严峻冲破
发布时间:2019-02-15 08:58

3D NAND FLash存储器是国内存储器财富兴起的捷径
  剖析与判断

  ?3DNANDFlash属于存储器领域的前沿技术,是存储器的最佳候选计划1、从技术分类看,存储器分为DRAM、NANDFlash、NORflash。全球DRAM和NANDFlash总产值约为存储器总产值的95%。NANDFlash主要分为2DNAND和3DNAND,2DNANDFlash、DRAM技术相对成熟,3DNANDFlash属于半导体存储器前沿领域。三星于2014年率先在全球推出量产的32层

  近期,依据中科院微电子所的官网音讯,由长江存储和中科院微电子所三维存储器研发中心结合研发的32层3DNANDFlash芯片顺利通过电学特性等各项指标测试,完成工艺器件和电路设想的整套技术验证。

  投资建议
  2、我们认为,国内在3DNANDFlash领域获得里程碑式停顿,将为下一步的财富化铺平路线,有望缩小与国外同行的技术差距。
  3D NAND Flash存储器研发获得重要停顿,为财富化打下坚实根底
  3DNAND存储器研发获得严峻冲破,有望加速国内存储器财富开展,利好A股相关半导体存储器、资料以及办法标的。重点引荐:兆易创新、深科技、上海新阳、七星电子、太极实业。


  2、我们认为,由于国外合作对手在DRAM和2DNAND方面领有大量折旧完的产能,而且DRAM市场增长放缓,所以从技术成熟度、老本角度思考,3DNANDFlash存储器是国内存储器财富快捷开展的捷径。



  V-NAND闪存,美光于2016年推出32层3DNAND闪存(全球第二家实现3DNAND闪存量产)。国内相对国外技术差距最小的存储器产品是3DNANDFlash。2、我们认为,3DNANDFlash比拟2DNAND,在性能、容量、牢靠性、老本方面领有合作劣势,将成为存储器的主流技术。




  1、从技术角度看,3DNANDFlash存储器财富化面临如下挑战:制造工艺开发(高深化比刻蚀工艺等)、存储器件单元构造设想、存储器件单元集成、牢靠性、NAND阵列架构、存储芯片电路设想等。3DNANDFlash的每个技术挑战都必要投入大量的研发力量去攻陷。国内目前已完成工艺器件和电路设想的整套技术计划。
  1、存储器是半导体财富的核心器件,其全球产值约为800亿美圆,DRAM市场约为450亿美圆,NANDFlash约为300亿美圆。2016年,DRAM大局部市场份额被三星、海力士、美光占据,三星、东芝/西数、美光、海力士把持了NANDFlash市场。中国是全球最大的电子产品消费基地和集散地,占据了全球存储器市场55%的市场份额。

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